上海, 2018年3月13日電 /美通社/ -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微”）在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova®，用于大批量生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的前道工序。該設(shè)備采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng)新的功能，以幫助客戶達(dá)到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標(biāo)，例如關(guān)鍵尺寸（CD）刻蝕的精準(zhǔn)度、均勻性和重復(fù)性等。其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)包括：完全對(duì)稱的反應(yīng)腔，超高的分子泵抽速；獨(dú)特的低電容耦合線圈設(shè)計(jì)和多區(qū)細(xì)分溫控靜電吸盤（ESC）。憑借這些特性和其他獨(dú)特功能，該設(shè)備將為7納米、5納米及更先進(jìn)的半導(dǎo)體器件刻蝕應(yīng)用提供比其他同類設(shè)備更好的工藝加工能力，和更低的生產(chǎn)成本。
中微Primo nanova®刻蝕機(jī)已獲得多家客戶訂單，設(shè)備產(chǎn)品已陸續(xù)付運(yùn)。中微首臺(tái)Primo nanova®設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上正常運(yùn)行，良率穩(wěn)定。目前公司正在和更多客戶合作，進(jìn)行刻蝕評(píng)估。在中微提供了一系列電容耦合等離子體刻蝕設(shè)備之后，這一電感耦合等離子體刻蝕新設(shè)備大大增強(qiáng)了中微的刻蝕產(chǎn)品線，能涵蓋大多數(shù)芯片前段的刻蝕應(yīng)用。
當(dāng)今芯片制造所采用的新材料、新的器件結(jié)構(gòu)、雙重模板以至四重模板工藝和其他新的技術(shù)正在推動(dòng)器件尺度的不斷縮小，這使得芯片的制造越來(lái)越復(fù)雜。中微開發(fā)Primo nanova® 時(shí)，充分考慮了在這種苛刻的加工環(huán)境中，如何使刻蝕達(dá)到在晶圓片內(nèi)更好的刻蝕均勻性和實(shí)時(shí)的控制能力、為芯片制造提供更寬的工藝窗口，以達(dá)到客戶日益提高的技術(shù)要求，并實(shí)現(xiàn)較低的制造成本。
“Primo nanova®采用了當(dāng)下先進(jìn)的等離子體刻蝕技術(shù)，為前沿客戶提供更具創(chuàng)新、更靈活的解決方案。”中微副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品部總經(jīng)理倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道，“該設(shè)備不僅能夠用于多種導(dǎo)體刻蝕工藝，比如淺溝槽隔離刻蝕（STI）、多晶硅柵極刻蝕；同時(shí)可用于介質(zhì)刻蝕，如間隙壁刻蝕（Spacer Etch）、掩模刻蝕（Mask Etch）、回刻蝕（Etch Back）等，具有業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)率和卓越的晶圓內(nèi)加工性能。這項(xiàng)基于電感耦合等離子體的刻蝕技術(shù)既可以用于刻蝕垂直深孔，也可以用于刻蝕淺錐形輪廓。此外，由于這個(gè)設(shè)備占地面積小、減少了耗材的使用，有相當(dāng)大的成本優(yōu)勢(shì)。我們非常高興看到客戶已經(jīng)從該設(shè)備投入生產(chǎn)中獲益。”
Primo nanova®的關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
Primo nanova®以獨(dú)特的四方形主機(jī)、可配置六個(gè)刻蝕反應(yīng)腔和兩個(gè)除膠反應(yīng)腔，它具有獨(dú)特的技術(shù)創(chuàng)新和極高的生產(chǎn)效率。這些技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)包括：
倪圖強(qiáng)博士進(jìn)一步指出：“從客戶的反饋?zhàn)C實(shí)， Primo nanova®提供了我們預(yù)期達(dá)到的晶圓加工能力和生產(chǎn)率，以及具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的生產(chǎn)成本。它也是一款多功能的設(shè)備，使用最少的配置調(diào)整就可以變換適用于多種加工工藝。”
Primo nanova®是中微公司的注冊(cè)商標(biāo)。
