-- SiWare(TM) Memory, SiWare(TM) Logic, SiPro(TM) MIPI and Intelli(TM) DDR 伙伴關系將中芯65納米低漏電工藝至臻完善

美國加利福尼亞州弗里蒙特和中國上海2010年5月24日電 /美通社亞洲/ -- 備受半導體產業信賴的 IP 供應商 Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL) 和中國先進的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司（中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯交所交易代碼：0981.HK）今天宣布其長期合作伙伴關系擴展到包括65納米（nanometer）的低漏電（low-leakage）工藝技術。根據協議條款，系統級芯片（SoC）設計人員將能夠使用 Virage Logic 開發的，基于中芯國際65納米低漏電工藝的 SiWare(TM) 存儲器編譯器，SiWare(TM) 邏輯庫，SiPro(TM) MIPI 硅知識產權 (IP) 和 Intelli(TM) DDR IP。這一聯合協議是 Virage Logic 與業界領先的代工廠業務擴展戰略的一個組成部分，也是中芯國際承諾為其客戶提供一個完整的 IP 解決方案的兌現。

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“作為中國首屈一指的代工廠，我們與 Virage Logic 公司拓展合作伙伴關系將使中芯國際能夠提供更多業界領先的65納米低漏電工藝的半導體 IP，這不僅能滿足來自中國本地的系統級芯片開發人員的需要，亦將助益我們開發全球半導體市場。”中芯國際資深副總裁兼首席商務官季克非表示。“目前我們已經有一些客戶正積極利用中芯國際的65納米低漏電工藝及 Virage Logic 公司相關 IP 進行芯片項目的開發。我們期待持續發展與 Virage Logic 的合作關系，不斷滿足日益增長的市場需求。”

“我們很高興能夠在65納米低漏電工藝方面擴大與中芯國際的伙伴關系。Virage Logic 開發的業界領先的 IP 產品將能夠讓更多的客戶選擇中芯國際作為他們65納米制造的主要供應商，” Virage Logic 公司市場和銷售執行副總裁 Brani Buric 表示。“作為代工廠贊助的 IP 產品計劃之一，我們的 SiWare(TM) 存儲器編譯器和 SiWare(TM) 邏輯庫將免費提供給終端用戶使用，中芯國際對此充分肯定其戰略意義。除此之外我們的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 標準高速接口 IP 也為用戶提供了一個經驗證的解決方案，使得各地的設計師都能在他們的65納米低漏電設計中選擇世界一流的 IP。”

關于 Virage Logic的SiPro(TM) MIPI IP

SiPro MIPI DSI（顯示串行接口），CSI（攝像頭串行接口）控制器以及物理層 D-PHY，在保證良率的同時，提供性能、面積、功耗的優化方案。SiPro 為移動設備攝像頭和顯示接口提供無縫連接方案，并已通過系統級驗證。該 IP 方案被大量應用于移動 SoC，已在65低電壓工藝經過產品驗證，并可用于40低電壓工藝。

關于 Virage Logic 的 Intelli(TM) DDR 接口 IP 解決方案

Intelli DDR 存儲器接口產品擁有為 DDR1，DDR2，DDR3提供較好性能，較低觸發時間的智能存儲器控制器；較低功耗，較大帶寬的移動 SDR，移動 DDR，低功耗 DDR(LPDDR) 以及 LPDDR2存儲控制器；并為 DRAM 提供高速、全數字 DDR SDRAM PHY+DLL 方案以及先進的高可配置型 DDR IO。與模擬方案相比，全數字的 Intelli PHY+DLL 方案最多可節省25%的功耗，并縮小多達20%的面積，為高性能、低功耗應用提供優化的硬核方案。

關于 Virage Logic 的 SiWare(TM) 存儲器和 SiWare(TM) 邏輯產品

于2007年10月首次推出的65nm Siware 產品線，可滿足先進工藝物理 IP 日益復雜的設計要求，目前在40nm 工藝已有超過40家客戶。該產品線能針對先進工藝，提供優化的功耗方案，較大程度降低靜態功耗和動態功耗。Siware 高密度存儲編譯器能產生最小面積的存儲器。Siware 高速存儲編譯器能幫助設計者解決最具挑戰的關鍵路徑要求。工藝極限變量的編譯時間選擇，省電模式，讀寫余量的擴展，超低工作電壓，創新的 at-speed 測試，能幫助 SOC 設計者配置出最優化方案。

所有 SiWare 存儲器皆完全支持 Virage Logic 公司的 STAR 存儲系統。STAR 存儲系統為該公司的旗艦嵌入式存儲測試和修復系統，可并用于 Virage 邏輯存儲以及內部開發或者其他商業用途。為便利修復，該 STAR 存儲系統使用代工廠開發的存儲 eFUSE 以用于修復署名紀錄的存儲。STAR 存儲系統采用專為先進工藝量身定制的測試算法，以提高產品可靠性及加速產品的高良率周期。

SiWare 邏輯產品線針對高性能，高密度需求，特別量身定制高性能，高密度標準單元庫。該單元庫包含超過1,100個基礎單元，提供多通道配置以及不同的極限變量，能快速達到時序終止，同時不影響面積和功耗。

Virage Logic 的邏輯庫通過對更嚴格的設計規則、更高的可制造性以及更好的電遷移可靠性標準的不斷追求而達到良率的較大化。通過統一均衡的版圖設計，使用非最小化尺寸器件使得局部的變化達到最小，并且其特性可被代工廠相應的抽取環境所精確反映。比如，能夠反映出阱鄰近效應，相鄰電路擴散間距等 DFM 效應。

供應情況

Virage Logic的SiWare(TM) 存儲器和 SiWare(TM) 邏輯產品將在2010年第三季度上市。在代工廠 IP 贊助方案的支持下，Virage Logic 將直接授權給代工廠的終端客戶使用。

Virage Logic 的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 接口 IP 將在2010年第三季度初上市。

關于 Virage Logic

Virage Logic 是一家為復雜電路設計提供半導體硅知識產權（IP）的領先供應商。該公司擁有高度差異化的產品組合，包括處理器解決方案、接口 IP 解決方案、嵌入式 SRAM 和 NVM、嵌入式測試和良率優化解決方案、邏輯庫及存儲器開發軟件。Virage Logic 是備受半導體產業信賴的 IP 合作伙伴，有超過400家晶圓代工廠、IDM 和無廠 IC 客戶采用其方案以達到更高性能、更低功耗、更高密度、更優化良率，縮短客戶的產品上市時間以及量產時間。欲得知更多信息，請瀏覽 http://www.viragelogic.com 。

關于中芯國際

中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981），是世界領先的集成電路芯片代工企業之一，也是中國內地規模較大、技術先進的集成電路芯片代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米芯片代工與技術服務。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm 芯片廠和三座200mm 芯片廠。在北京建有兩座300mm 芯片廠,在天津建有一座200mm 芯片廠，在深圳有一座200mm 芯片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立營銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯代成都成芯半導體制造有限公司經營管理一座200mm 芯片廠，也代武漢新芯集成電路制造有限公司經營管理一座300mm 芯片廠。詳細信息請參考中芯國際網站 http://www.smics.com

安全港聲明（根據1995私人有價證券訴訟改革法案）

本次新聞發布可能載有（除歷史資料外）依據1995美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述乃根據中芯對未來事件的現行假設、期望及預測而作出。中芯使用“相信”、“預期”、“打算”、“估計”、“期望”、“預測”或類似的用語來標識前瞻性陳述，盡管并非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導致中芯實際表現、財務狀況和經營業績與這些前瞻性聲明所表明的意見產生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素，其中包括當前全球金融危機的相關風險、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場的財政穩定。

投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會（“證交會”）的文件資料 ，包括其于二零零九年六月二十二日以20-F 表格形式呈交給證交會的年報，特別是在“風險因素”和 “管理層對財務狀況和經營業績的討論與分析”部分，并中芯不時向證交會(包括以6-K 表格形式)，或聯交所呈交的其他文件。其它未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果，業績或成就產生重大不利影響。鑒于這些風險，不確定性，假設及因素，本次新聞發布中討論的前瞻性事件可能不會發生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明，因其只于聲明當日有效，如果沒有標明聲明的日期，就截至本新聞發布之日。除法律有所規定以外，中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬，更新任何前瞻性陳述。

上述所有商標為所有者的個別財產并于此受到保護。