三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM，憑借三星卓越的12層堆疊技術(shù)，其性能和容量可大幅提升50%以上
先進(jìn)的TC-NCF技術(shù)有效提升垂直密度和熱性能
三星致力于滿足人工智能時代對高性能和大容量解決方案的更高要求
深圳2024年2月27日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。
“當(dāng)前行業(yè)的人工智能服務(wù)供應(yīng)商越來越需要更高容量的HBM，而我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H正是為了滿足這種需求而設(shè)計的，” 三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊執(zhí)行副總裁 Yongcheol Bae 表示，“這一新的存儲解決方案是我們研發(fā)多層堆疊HBM核心技術(shù)以及在人工智能時代為高容量HBM市場提供技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力而努力的一部分。
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
HBM3E 12H采用了先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得12層和8層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致，以滿足當(dāng)前HBM封裝的要求。因為行業(yè)正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術(shù)將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導(dǎo)電薄膜（NCF）材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)芯片之間的間隙最小化至7微米（µm），同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其HBM3E 12H產(chǎn)品的垂直密度比其HBM3 8H產(chǎn)品提高了20%以上。
三星先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊（bump）改善HBM的熱性能。在芯片鍵合（chip bonding）過程中，較小凸塊用于信號傳輸區(qū)域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區(qū)域。這種方法有助于提高產(chǎn)品的良率。
隨著人工智能應(yīng)用的指數(shù)級增長，HBM3E 12H有望成為未來系統(tǒng)的優(yōu)選解決方案，滿足系統(tǒng)對更大存儲的需求。憑借超高性能和超大容量，HBM3E 12H將幫助客戶更加靈活地管理資源，同時降低數(shù)據(jù)中心的總體擁有成本（TCO）。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭載于人工智能應(yīng)用后，預(yù)計人工智能訓(xùn)練平均速度可提升34%，同時推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過11.5倍[1]。
目前，三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預(yù)計于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。
[1] 基于內(nèi)部模擬結(jié)果
